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简述利用霍尔元件测磁场的原理所谓霍尔效应,霍尔效应是磁电效应的一种,霍尔效应法测量磁场的基本原理是什么?怎样用霍尔器件测量交变磁场?能否用霍尔元件测量交变磁场?扩展资料磁感应强度的间接测量方法1、利用霍尔效应，测定磁感应强度。如何利用霍尔效应测交变磁场霍尔效应是指当固体导体有电流通过，且放置在一个磁场内，导体内的电荷载子受到洛伦兹力而偏向一边，继而产生电压。

依据霍尔效应原理：EKBI（当B和I不是垂直方向时，EKBIcosθ），K为霍尔器件灵敏度系数，是常数。采用恒流源给霍尔器件供电，E正比于磁感应强度B。因此，采用恒流源通过霍尔器件，并将霍尔器件垂直放置在磁场中，霍尔器件将输出与交变磁场同频率，大小正比于交变磁场磁感应强度的的电压信号，采用运算放大器放大该信号，送至AD高速采样并运算（或通过交直流变换电路先变换为直流）即可得到交变磁场的幅值和频率。

可以，但是，必须使用霍尔元件的线性区，测量才比较准确。因为霍尔元件的输出电压输入电流*磁场强度，也就是说：磁场强度的改变，必然反映到输出电压上。依据霍尔效应原理，UHKHISB即：霍尔电势差UH与电流IS及磁感应强度B成正比。Is为激励电流，是直流电流。KH为灵敏度常数。注意，磁感应强度B是指与激励电流Is方向垂直的磁场分量。

线性型霍尔元件可以测量交变磁场。具体只要给霍尔元件施加激励，将其摆放在磁场中，其输出电势就反应摆放处与激励电流方向垂直的磁感应强度分量的大小和极性。如果不能确定磁感应强度的方向，可以用两个霍尔元件垂直摆放，两个霍尔元件输出霍尔电势的方和根与磁感应强度的大小成正比。

所谓霍尔效应,是指磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时,产生横向电位差的物理现象.霍尔电位差UH的基本关系为UHRHIB/dRH1/nq（金属）式中RH霍尔系数：n单位体积内载流子或自由电子的个数q电子电量；I通过的电流；B垂直于I的磁感应强度；d导体的厚度.利用上式就能测量磁场.。

霍尔效应是磁电效应的一种,当电流垂直于外磁场通过导体时,在导体的垂直于磁场和电流方向的两个端面之间会出现电势差,这个电势差就被叫做霍尔电势差.导体中的载流子在外加磁场中运动时,因为受到洛仑兹力的作用而使轨迹发生偏移,并在材料两侧产生电荷积累,形成垂直于电流方向的电场,最终使载流子受到的洛仑兹力与电场斥力相平衡,从而在两侧建立起一个稳定的电势差即霍尔电压.正交电场和电流强度与磁场强度的乘积之比就是霍尔系数.平行电场和电流强度之比就是电阻率.因此,

磁感应强度的计算公式为BF/ILF/qvE/vΦ/S其中在磁场中垂直于磁场方向的通电导线所受的安培力为F，电流大小为I，而导线长度为L。电荷量为q，速度为v，电场强度为E，磁通量为Φ，S为面积。注意:1、磁场中某位置的磁感应强度的大小和方向是客观存在的，与放入的导线的电流有多大，导线有多长无关。所以不能说B与F或者B月IL的乘积成反比。

但是在不同的位置，一般不同。扩展资料磁感应强度的间接测量方法1、利用霍尔效应，测定磁感应强度。将导体放在x轴方向的匀强磁场中，并通有沿y轴方向的电流时，在导体的上下两侧出现电势差，这个现象称为霍尔效应，利用霍尔效应的原理就可以制造磁强计，测量磁感应强度。2、利用动力学方法测定磁感应强度。应用通电导体在磁场中受到安培力的原理，根据牛顿运动定律建立动力学方程，从而求出磁感应强度。

1.霍尔效应是电磁效应的一种，这一现象是美国物理学家霍尔（E.H.Hall，18551938）于1879年在研究金属的导电机制时发现的。2.当电流垂直于外磁场通过半导体时，载流子发生偏转，垂直于电流和磁场的方向会产生一附加电场，从而在半导体的两端产生电势差，这一现象就是霍尔效应，这个电势差也被称为霍尔电势差。3.霍尔效应使用左手定则判断。

霍尔效应是指当固体导体有电流通过，且放置在一个磁场内，导体内的电荷载子受到洛伦兹力而偏向一边，继而产生电压。电场力会平衡洛伦兹力。电流是由许多移动中的电荷载子（通常为电子）组成。在垂直方向的磁场，会令电子受洛伦兹力。电子的轨迹是曲的。这使得导体的电荷密度不平均，因此产生了一个电压，称为霍尔电压。量度导体两边的电压，可以测得磁场的强度。

在垂直方向的磁场，会令电子受洛伦兹力。电子的轨迹是曲的，这使得导体的电荷密度不平均，因此产生了一个电压，称为霍尔电压。量度导体两边的电压，可以测得磁场的强度，方便起见，假设导体为一个长方体，长度分别为a,d，磁场垂直ab平面。电流经过ad，电流Inqv(ad)，n为电荷密度，设霍尔电压为VH，导体沿霍尔电压方向的电场为VH/a。

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