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电力电子技术中单极性器件与双极性器件是指什么?器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。双极半导体是指半导体器件中包含p型和n型两种半导体，而在漏区另一侧的P 区称为漏注入区（Draininjector），它是IGBT特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。

普通二极管的检测（包括检波二极管、整流二极管、阻尼二极管、开关二极管、续流二极管）是由一个PN结构成的半导体器件，具有单向导电特性。通过用万用表检测其正、反向电阻值，可以判别出二极管的电极，还可估测出二极管是否损坏。1．极性的判别将万用表置于R×100档或R×1k档，两表笔分别接二极管的两个电极，测出一个结果后，对调两表笔，再测出一个结果。

在阻值较小的一次测量中，黑表笔接的是二极管的正极，红表笔接的是二极管的负极。2．单负导电性能的检测及好坏的判断通常，锗材料二极管的正向电阻值为1kΩ左右，反向电阻值为300左右。硅材料二极管的电阻值为5kΩ左右，反向电阻值为∞（无穷大）。正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。正、反向电阻值相差越悬殊，说明二极管的单向导电特性越好。

图1所示为一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构，N 区称为源区，附于其上的电极称为源极。N 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P型区（包括P 和P一区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（Subchannelregion）。而在漏区另一侧的P 区称为漏注入区（Draininjector），它是IGBT特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。

是P型半导体和N型半导体的意思。半导体器件的原料称为本征半导体，通过掺杂形成P型（比如掺入3价元素硼）、N型（比如掺入5价元素磷）半导体。而P型和N型半导体的导电特性刚好对应PN结的正端和负端，所以也可以理解成正、负。两个pn结啊兄弟、npn中间的p是代表正没错、也就是说p指向外的两个n是pn结，既呈正向电阻和正向导通。

半导体（semiconductor），指常温下导电性能介于导体（conductor）与绝缘体（insulator）之间的材料。半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。如二极管就是采用半导体制作的器件。半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。

双极型集成电路的制造工艺，是在平面工艺基础上发展起来的。与制造单个双极型晶体管的平面工艺相比，具有若干工艺上的特点。①双极型集成电路中各元件之间需要进行电隔离。集成电路的制造，先是把硅片划分成一定数目的相互隔离的隔离区；然后在各隔离区内制作晶体管和电阻等元件。在常规工艺中大多采用PN结隔离，即用反向PN结达到元件之间相互绝缘的目的。

②双极型集成电路中需要增添隐埋层。通常，双极型集成电路中晶体管的集电极，必须从底层向上引出连接点，因而增加了集电极串连电阻，这不利于电路性能。为了减小集电极串连电阻，制作晶体管时在集电极下边先扩散一层隐埋层，为集电极提供电流低阻通道和减小集电极的串联电阻。隐埋层，简称埋层，是隐埋在硅片体内的高掺杂低电阻区。埋层在制作集成电路之前预先“埋置”在晶片体内。

双极型晶体管是由两个背靠背PN结构成的具有电流放大作用的晶体三极管。起源于1948年发明的点接触晶体三极管，50年代初发展成结型三极管即现在所称的双极型晶体管。双极型晶体管有两种基本结构：PNP型和NPN型。在这3层半导体中，中间一层称基区，外侧两层分别称发射区和集电区。当基区注入少量电流时，在发射区和集电区之间就会形成较大的电流，这就是晶体管的放大效应。

4.1晶体管的工作原理一.放大状态下晶体管中载流子的传输过程当晶体管处在发射结正偏、集电结反偏的放大状态下,管内载流子的运动情况可用下图说明①.发射区向基区注入电子/EP«/EN,发射极电流/E^/EN。②.电子在基区中边扩散边复合形成基区复合电流IBN，为基极电流IB的主要部分R③.电子被集电区收集形成集电区收集电流IcN,

双极半导体是指半导体器件中包含p型和n型两种半导体。P型半导体指半导体中掺入三价元素杂质，如硅中掺入杂质硼，这样的半导体中多数载流子是空穴；N型半导体指半导体中掺入五价元素杂质，如硅中掺入杂质磷，这样的半导体中多数载流子是电子。当p型半导体与n型半导体接触时会在接触面上形成pn结，即是PN结二极管。双极结型晶体管也就是BJT、三极管，其原理都是以PN结为基础的。

单极器件指一种载流子导电，如MOS，场效应管，为电压控制电流；双极器件指两种载流子参与导电，如BJT，其为电流控制电流。IGBT工作时有两种载流子参与导电，因此是双极器件。但它是栅压控制电流，因此为电压控制。电子元件和电小型的机器、仪器的组成部分，其本身常由若干零件构成，可以在同类产品中通用；常指电器、无线电、仪表等工业的某些零件，如电容、晶体管、游丝、发条等子器件的总称。

扩展资料：电感器在电子制作中虽然使用得不是很多，但它们在电路中同样重要。我们认为电感器和电容器一样，也是一种储能元件，它能把电能转变为磁场能，并在磁场中储存能量。数字集成电路是将元器件和连线集成于同一半导体芯片上而制成的数字逻辑电路或系统。根据数字集成电路中包含的门电路或元、器件数量。电容在电路中一般用“C”加数字表示(如C13表示编号为13的电容)。

单极器件只有一种载流子工作（比如MOS管，MOSFET功率管，肖特基势垒二极管，电阻温度系数为正），类似于导体，基本无恢复过程（不能自我修复损坏）；双极器件有2种载流子工作（比如三极管GTR（电力晶体管GiantTransister），GTO（可关断晶体管SateTurnOffthruster），IGBT（绝缘栅场效晶体管InsulatedGateBipolarTransisto），IGCT，整流二极管，晶闸管，电阻温度系数为负），与导体不同，双极器件有必然的恢复过程（能自我修复损坏）。

器件 中双 为栅区 双极 区指