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前几天分享了一个有问题的电池电压检测的电路，如图1。由于输入电阻高达150k，而且A/D转换器的采样保持时间大概为0.11us采样保持电容无法在该时间内充电完成，导致测试值远小于实际值，我针对这个电路，在A/D输入口增加一个10nF的电容，同时，提供了采用IO口控制电源电压以降低待机电流的电流，如图2，网友们提了一些问题，我在这里做解答：问题1，不增加电容而且延长采样保持时间是否可以解决问题。

除了将采样保持时间继电器ADC_SMPR1设置为7，还有一个知识点，课本不会教，一般的老师傅不了解，即使了解也不会轻易传授。如图6，在电阻R1和R2连接点与输入端口之间是电阻比较大的区域。往左看，是两个300k并联得到的150k的大电阻往右看，是处理器A/D输入端口高达几M的输入电阻如果没有输入电容C1，这块区域是防护非常薄弱的危险区域。

电压的大小（包括它能感知的最小电压作为高电平），电流的驱动能力例如51的p0口若作为io口使用就要加上拉电阻，不然的话高电平是高阻态的形式。还有就是io口默认是不是作为io口，有的io口有第二功能的。建议去我的领地5d6d的proteus论坛看看那里有很多单片机仿真实例，包括仿真图和源码搜5d6d和proteus2个关键词。

p0口在作为io口的时候要接上拉电阻；四个io口作输入口对其进行读操作时要先写1。电压的大小（包括它能感知的最小电压作为高电平），电流的驱动能力例如51的p0口若作为io口使用就要加上拉电阻，不然的话高电平是高阻态的形式。还有就是io口默认是不是作为io口，有的io口有第二功能的。

51单片机io口的输入/输出逻辑电平是5V，负载能力是很弱的，最大灌电流为20毫安，所以如果工作电流是100毫安，那么直接驱动就无能为力了，只能加一级放大，比如用一个三级管或MOS管来实现。IO口通常都是 3.3V，IO口后面可以加三极管来驱动继电器。51单片机io口的输入/输出逻辑电平是：低电平是0，高电平接近5V。

不可以。是否烧毁则取决于12V所在的电源带载能力，一般来说是会烧毁的，IO能承受的最高电压要查阅相关芯片的datasheet，不同芯片的不同管脚耐压能力都是不同的。一般不可以，12V的电压直接加上的话，如果负载短路，很有可能烧坏单片机内部的V2场效应管。一般都是接5V电源，12V的你在电路里再串接一个限流电阻吧。一般烧单片机引脚，都是因为流入单片机引脚的电流过大。

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