如何可靠关断驱动,怎么停止驱动安装

几个常用MOS管驱动电路。这几个电路经常会用到,要牢记,在设计中能得心应手,第一个就是基本的直接驱动型,芯片I/O脚直接驱动。这个有缺点,芯片输出功率低会驱动不了MOS管的导通,关断,第二个是推挽驱动型,这个就解决了第一个的功率不够的问题。高电平时上面三极管导通,VCC直接给到MOS管,MOS管能快速导通,低电平时,MOS结电容放电使下面三极管导通。

第三个是为了加速关断时间设计的电路。这个在关断时二极管把Rg1短路掉,使MOS管结电容快速放电,快速关断。Rg2有什么用大家想想。第四个是另一种运用三极管的导通来快速关断MOS管第五个是隔离驱动型。这个是为了驱动高压MOS管的。高低压隔离。C1隔断直流作用。R1作用是当LC形成振荡时,R1起抑制振荡作用。请关注@卧龙会IT技术,感谢支持

1、可使开关元件的关断速度

器件能获得元器件开关速度的突破及可靠性性能的提升,从而使功率开关元器件的应用能获得进一步..。,缩短关断时间就显得尤为迫切,所以栅极驱动的简单优化也大都是针对进步关断速度停止的。对于高频信号而言,栅极和源极到驱动控制电路的引线以及RG的寄生电感对开关速度都是有影响的,图5.80(a)所示电路使一个小容量的电容与上述寄生电感并联,相当于对驱动信号停止了相位校正,因而有利于外关速度的进步。

1N4148适用于栅极峰值电流150mA以下的应用,300mA左右时能够换用BAS40之类的肖特基二极管。图5.80(c)所示电路是目前最为常用的驱动优化电路,特别是关于只要正向驱动信号电平而没有负向的栅极驱动信号的状况,这种电路特别有用。PNP晶体管的基极电平低于发射极时导通,反之关断。

2、如何驱动双向可控硅使其控制电源通断

按你的要求是实现不了的,但可实现半边控制,简单的办法是,5V电源串一个电阻到控制极,电源的地到阴极,就可以了,同样用另一个5V电源控制另半边(声明如下:5V电源要电隔离,并绝对不能用身体暴露部位触碰以免触电已提醒用户,出现人身事故本人概不负责)。再一个是用5V电源串一电阻驱动一个3081光耦,再接可控硅,或只买一个固态继电器就行了。

在5V电源 端串联一个100欧电阻限流接到触发极G,零端接到TI极(靠近G极的那个极,单向管叫阴接),双向可控硅就一个触发极G,这样只要这个5V电源为高电平时,双向可控硅T1,T2极就可以导通,0V时截止,而且电流是双向的,完全可以达到您的要求。你这里有可控硅和双向可控硅两种提法,不知就是同一个双向可控硅还是一个双向可控硅和另一个可控硅(应该是单向)。

关断 驱动 可靠 停止