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关于中芯国际的N1制作工艺你需要的几个点。1，N1工艺芯片制作，还是需要先进的光刻机，N1是中芯为节约成本问题而设计的一套工艺，并没向网上一些大V吹的那样，中芯N1芯片技术成功流片，告别光刻机，只要是硅基芯片都需要光刻机，2，N1不是纳米技术，跟7nm还是有很大的差距，但实际上，中芯国际表示N1并不等同于7nm技术，尽管新工艺可让SoC变得更小、更节能，但N1带来的性能提升，仍无法与7nm竞品做到旗鼓相当，有鉴于此，中芯国际将N1定位于更具成本吸引力的芯片制造技术。

外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。其实外延片的生产制作过程是非常复杂的，在展完外延片后，下一步就开始对LED外延片做电极（P极，N极），接着就开始用激光机切割LED外延片（以前切割LED外延片主要用钻石刀），制造成芯片后，在晶圆上的不同位置抽取九个点做参数测试.1、主要对电压、波长、亮度进行测试，能符合正常出货标准参数的晶圆片再继续做下一步的操作，如果这九点测试不符合相关要求的晶圆片，就放在一边另外处理。

主要是对硅晶片（Siwafer）的一系列处理1、清洗>2、在晶片上铺一层所需要的半导体>3、加上掩膜>4、把不要的部分腐蚀掉>5、清洗重复2到5就可以得到所需要的芯片了Cleaning>Deposition>MaskDeposition>Etching>Cleaning1、中的清洗过程中会用到硝酸，氢氟酸等酸，用于清洗有机物和无机物的污染其中Deposition过程可能会用到多种器材，比如HELIOS等~MaskDeposition过程中需要很多器材，包括Spinner，Hotplate，EVG等等~根据材料不同或者需要的工艺精度不同，Etching也分很多器材，可以使用专门的液体做Wetetch，或者用离子做PlasmaEtching等最后一部的Cleaning一般是用Develpoer洗掉之前覆盖的掩模~多数器材都是OxfordInstruments出的具体建议你去多看看相关的英文书，这里说不清楚。

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