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不是你所说得。cM0S管，有Pmos和Nmos管组成与门，或门，与非门，或非门，有四五个Nmos或Pmos组成门逻辑电路，这种埸效应管栅极开路时受感应电荷或者雷击都会损坏栅极，集成块或芯片平时要用铝箔包装。放在铝合金饭盒里防静电，最早些3DJ型埸效应用短路环包裹，先焊D，S脚，最后焊G脚。再将短路环拆除，铬铁必须严格接地。

判定栅极G：将万用表拨至R×1k档,用万用表的负极任意接一电极,另一只表笔依次去接触其余的两个极,测其电阻.若两次测得的电阻值近似相等,则负表笔所接触的为栅极,另外两电极为漏极和源极.漏极和源极互换,若两次测出的电阻都很大,则为N沟道；若两次测得的阻值都很小,则为P沟道。判定源极S、漏极D：在源漏之间有一个PN结,因此根据PN结正、反向电阻存在差异,

其中电阻值较低(一般为几千欧至十几千欧)的一次为正向电阻,此时黑表笔的是S极,红表笔接D极。\rmos管，即在集成电路中绝缘性场效应管。是金属(metal)氧化物(oxid)半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属绝缘体(insulator)半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。

MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制构成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但理论应用的只需增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）两大类。一、结型场效应管（JFET）结型场效应管的分类：结型场效应管有两种结构形式，它们是N沟道结型场效应管和P沟道结型场效应管。

cmos与非门是由两个p沟道增强型MOS管并联和两个N沟道增强型MOS管串联，需要4个晶体管，或非门是串联两个p沟道增强型MOS管，和并联的两个N沟道增强型MOS管，由4个晶体管构成，晶体管也可以叫做三级管。cmos吗，当然是互补门，也就是nmos和pmos一样多，与非门需要4个管子（2n、2p），同样或非门也要4个，非门就2个，晶体管是pmos和nmos数量总称。

nmos mos