白起网络

基于二维原子晶体的下一代数据存储对于现代信息技术而言，用于数据存储的存储器是必不可少的。尤其随着各种新兴技术的迅猛发展，如大数据、云计算和人工智能等，对于数据存储密度的要求越来越高，而存储密度取决于单位面积存储的数据量，故缩小存储单元的占地面积是最直接的解决方案，但是，由于受到结构和物理极限的限制，硅基存储器的尺寸很难进一步缩小。

Flash与RAM相比，其读性能基本不相上下，主要区别在于无法实现真正的随机写，只能按块/扇区进行擦除，写入时只能将“1”编程为“0”。另外擦除和写入过程都需要相当长的时间。首先说说什么是Flash调试和RAM调试，Flash调试就是通常意义下的普通调试，即将编译链接之后的code下载到单片机的ROM区，数据放到RAM区，然后进行调试；而RAM调试则是将数据放到RAM区的同时再从RAM区中额外开辟出一段空间存放可执行code，这样就是code和数据同时运行在RAM区里面。

陆地骑鹅的回答算是比较好的，我想补充一下Flash存储器的优点我就不说了Flash存储器缺点不是容量有限，现在的Flash存储器的容量可比硬盘了..容量很大..以前来说，这是Flash的缺点，但现在已经不是了..现在Flash的缺点应该是读写速度没有硬盘的读写速度快，这是USB传输的速度决定的..。硬盘：容量大，但不便于携带RAM：容量小，断电后不能保存Flash存储器：容量较大，便于携带，断电后仍能保存Flash存储器比较好。

对于flash的认识，比较肤浅，在网上找了些资料，感谢的博主，将其博文转载过来，以便以后查看。flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。flash按照内部存储结构不同，分为两种：norflash和nandflash。（1）norflash：像访问SDRAM一样，按照数据/地址总线直接访问,

NandFlash相比其余的几种flash优势在于可擦写次数多，擦写速度快，但是在使用以及使用过程中会出现坏块因此需要做特殊处理才可以使用。其主要用于数据存储，大部分U盘都是NandFlash，Nand和Nor的使用寿命，块擦除的速度，数据存储的出错几率等，都有很大区别。