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1，电摩电池的电压达不到直流桩的最低电压(dc-ac取电器这种野路子不算。2，电摩不用高压是因为高耐压mosfet控制器效率低，3，电摩为什么不用耐压更高的igbt和sic，产业链的关系，4，为什么没有培育出高电压平台产业链，因为市场需求不够，5，事实上绝大部分的电摩还在用铅酸电池。这个需求属于小众中的小众，6，达芬奇DC100可直流快充。

IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor，绝缘栅极双极型晶体管)，是一种门极电压控制的电力半导体器件，控制方式与MOSFET相似，控制电压等根据各产品有区别(部分情况下可与之替换，慎用！).IGBT发明的初衷是希望研发出一种器件具有MOSFET的高频开关特性又有其所不具备的高阻断电压(MOSFET可通过增加n区厚度来提高阻断电压，但同时会增加导通电压，提高功率损耗)。

IGBT由多个公司及机构在上世纪80年代初各自独立研发完成，其中以GE的Baliga最为世人所知(出版众多相关教材，如功率半导体基础，SiC器件等)。但欧洲的一些教授对于Baliga发明的器件结构存疑，并引发论战。功率半导体器件主要应用于直流／交流，高压／低压等场合，基本原理就是通过开关频率的变化来实现电流电压频率波形的转变。

igbt可控性好，过载性好，性能稳定，当然价格也高。它的定位就是工业机型。一般在400以上。现在有不少单管igbt的焊机，价格跟mos管的差不多。mos管的性能不太稳定，mos管价格低，早期焊机电弧软，没有挺度。它的定位是民用机型。一般是一些小机型。不过国外一些mos管焊机性能相当好。一个模块早期七八百，现在也要三四百，mos管几毛几块钱。

IGBT的主要材料有外部为封装用的陶瓷；内部件是银丝、黄金镀膜和透明硅胶等。IGBT是绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。