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mosfet的触发导通电压是多少?门极电压是多少?关闭电压是多少?ASEMI场效应管7N60的压降是多少?mos管可以做开关管用吗?请问如何降低Mos管ds压降要解释你的问题，首先要了解MOS管的工作原理。帮我分析下这个mos管电路,...的MOS管他的GS极的电压是多大就开始导通。

1、耐压值，额定电流值本身就是MOS管的重要参数。2、还有很多参数，其中比较重要的是导通电阻、开关速度、开启电压和额定功率。你的补充基本正确，但最大电流一处有错，MOS管的电流参数很多时候厂家会给出连续电流，短时间电流和峰值电流，泛指最大电流不是很恰当，所以在应用时要根据应用的实际情况，认真看具体mos管的详尽参数。

当然可以，而且大部分是用于开关状态，MOS管用于放大的例子还真不多。如果要工作在开关状态，就必须使得MOS管处于可变电阻区和夹断区，不过MOS管的开关不是那么简单，在实际中，开启很容易，一般24V电压就行（不过要想导通得很好，深度饱和，最好加大电压到10V左右，这时候，MOS管的通态电阻比较小），关断很麻烦，远比开启要麻烦，有效关断的话，最好用负电压。

24V就开始导通，D、S极间最大电压不能超过100V。如图所示。IRF540N的导通起控电压为24V，GS极之间最高电压不能超过20V，质量较好的管子GS加68V就已经饱和导通（内阻最小），所以使用时如果有脉动或尖峰电压时，最好在GS两极之间接入一1215V的快速稳压管。我曾经测试过几十万只这种场效应管，质量最好的是美国IR和HARRIS公司出品的管子，参数的一致性相当地好。

1.开启电压VT·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。2.直流输入电阻RGS·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比·这一特性有时以流过栅极的栅流表示·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。

7N60参数描述型号：7N60封装：TO220特性：低功耗场效应管电性参数：7A600V连续二极管正向电流(IS)：7A脉冲二极管正向电流(ISM)：28A漏源电压(VDSS)：600V栅源电压(VGS)：±30V导通电阻(RDS(on))：1.2Ω源漏二极管压降(VSD)：1.5V漏源击穿电流(IDSS)：1uA反向恢复时间(trr)：648NS工作温度：55~ 150℃引线数量：37N60插件封装系列。

你图上是双极性晶体管，按你说条件算它MOS型晶体管。左边栅极电压为V_DO_Carera/(1 5.1)，右边，当V_DO_Carera1V时是12V*(510/100K)，假设你的Q92在电路中能完全饱和(C极电流大于12/510)，那么当V_DO_Carera1V时，大约是Q92饱和压降(或者导通阻抗压降)的(510/100K)。

要解释你的问题，首先要了解MOS管的工作原理。MOS管与一般晶体三极管是不同的。它是电压控制元件，它是栅极电压控制的是SD极间的体电阻。在栅极施加不同的电压，源漏极之间就会有电阻的变化，这就是MOS管的工作原理。栅极电压对应在器件SD极的电阻变化曲线可以查器件手册。根据MOS管的这个特性，既可以选择将MOS管作放大器工作，也可以选择作为开关工作。

N型MOS一般都是用S对地，G接电压控制，接地时截止，接高于地的电压开始导通，D输出，负载是从正电源到D之间连接，也就是说管子的D到S导通，让负载的负极接到地，关断时，负载的地断开；PMOS极性相反，S接正，G仍是控制，但接正时是关断，低于正的电压才是导通，D输出时，负载一端接地，一端接D极，MOS控制的是负载的正极。

关闭电压就是它开启的阀值。MOSFET上的；二是你的MOSFET是N还是P型的，这对判断关断还是导通有很大的影响，N型MOS一般都是用S对地，G接电压控制，接地时截止，接高于地的电压开始导通，D输出，负载是从正电源到D之间连接，也就是说管子的D到S导通，让负载的负极接到地，关断时，负载的地断开；PMOS极性相反，S接正，G仍是控制，但接正时是关断，低于正的电压才是导通，D输出时，负载一端接地，一端接D极，MOS控制的是负载的正极。

导通 mosfet mos 压降 饱和