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霍尔效应实验问题:为什么制备霍尔元件的材料通常是半导体而不是金属...它是制作霍尔元件以获得大霍尔电压的理想材料。因此，制备霍尔元件的材料一般是半导体而不是金属，霍尔元件的工作原理，霍尔传感器的工作原理是什么？为什么它有一些弱磁性？霍尔传感器是基于霍尔效应，由霍尔元件及其辅助电路组成的集成传感器。

由于通电的螺线管中存在磁场，其大小与导线中的电流成正比，所以可以用霍尔传感器来测量磁场，从而确定导线中的电流。利用这一原理，可以设计和制造霍尔电流传感器。其优点是不与被测电路发生电接触，不影响被测电路，不消耗被测电源的电能，特别适用于大电流传感。霍尔电流传感器的工作原理如图6所示。标准的环形铁芯有一个缺口，霍尔传感器插在缺口里，环上绕有线圈。当电流通过线圈时，产生磁场，霍尔传感器有信号输出。

电流对人体的危害分为两种，即电伤和触电；电伤是指电流的热效应、化学效应和机械效应对人体外貌造成的局部损伤，如电灼伤、电烙、皮肤金属化等。电伤一般在不是很严重的情况下会有生命危险；触电是指电流流经人体造成内脏器官的损伤，是触电事故最严重的后果，大部分触电死亡都是由触电引起的。

工作原理:霍尔电压随着磁场强度的变化而变化。磁场越强，电压越高，磁场越弱，电压越低。霍尔电压很小，通常只有几毫伏，但可以通过集成电路中的放大器放大，输出很强的信号。霍尔IC如果起到传感作用，就需要通过机械手段改变磁感应强度。磁场中有一个霍尔半导体芯片，恒定电流I从A到B通过芯片..在洛仑兹力的作用下，I的电子流通过霍尔半导体时偏向一侧，造成CD方向的电位差。这就是所谓的霍尔电动车燃压。

可用于检测磁场及其变化，可用于各种与磁场有关的场合。霍尔传感器是基于霍尔效应，由霍尔元件及其辅助电路组成的集成传感器。霍尔传感器广泛应用于工业生产、交通运输和日常生活中。根据检测对象的性质，霍尔传感器可分为直接应用和间接应用。

Hall Effect这两个im不同是因为RhVH * Brh * I * B/D，所以rhvh*d/i*b，im相当于B的指示器，rh与它们有一级关系。第一个用于测量霍尔系数。与励磁电流的另一个关系当然是用来测量磁场值的，但是如果你本来就没有给出霍尔系数，就无法通过霍尔电压得到磁场值，所以判断第一个的目的就是得到霍尔系数。解释了在半导体上施加垂直于电流方向的磁场，会使半导体中的电子和空穴受到不同方向的洛伦兹力向不同方向聚集。

追踪该点然后根据最小二乘估计法估计值，做出更准确的曲线。是可以设计的。根据VI图，当流路霍尔元件的外磁场B和电流I中的一个平衡时，霍尔电压与另一个值成正比，因此可以选择电阻率较低的霍尔元件来设计电流表。只要得到霍尔电压，就可以根据VI关系读出电流I的值。

利用霍尔效应的霍尔元件半导体。所谓霍尔效应，是指当磁场作用于载流金属导体和半导体中的载流子时，产生横向电位差的物理现象。金属的霍尔效应是美国物理学家霍尔在1879年发现的。当电流通过金属箔时，如果在垂直于电流的方向施加磁场，金属箔的两侧就会出现横向电位差。半导体中的霍尔效应比金属箔中的霍尔效应更明显，而铁磁金属在居里温度以下会表现出很强的霍尔效应。

霍尔电位差UH的基本关系是:公式UHRHIB/d中的RH-霍尔系数(1)RH1/nq(金属)(2)；N――单位体积内载流子或自由电子的数量；q-电子数量；I-通过的电流；b——垂直于I的磁感应强度；d-导体的厚度。对于半导体和铁磁金属，霍尔系数的表达式与公式(2)不同，此处省略。由于通电导线周围存在磁场，其大小与导线中的电流成正比，所以可以用霍尔元件测量磁场，从而确定导线的电流。

为了得到大的霍尔电压，关键是要选择霍尔系数大的材料(即高迁移率和高电阻率ρ1/σ)。就金属而言，两者和ρ都很低，所以霍尔系数很小，不能用来制作霍尔元件，半导体因为ρ高，是制作霍尔元件的理想材料，所以制作霍尔元件的材料一般是半导体而不是金属。