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场效应晶体管场效应晶体管简称场效应管。它是一种外形与三极管相似的半导体器件，但它与三极管的控制特性截然不同，三极管是电流控制型器件，通过控制基极电流达到控制集电极电流或发射极电流的目的，即需要信号源提供一定的电流才能工作，所以它的输入阻抗较低而场效应管则是电压控制型器件，它的输出电流取决于输入电压的大小，基本上不需要信号源提供电流，所以它的输入阻抗较高。

场效应管的品种有很多，按其结构可分为两大类一类是结型场效应管另一类是绝缘栅型场效应管，而且每种结构又有N沟道和P沟道两种导电沟道。场效应管一般都有3个极，即栅极G、漏极D和源极S，为方便理解可以把它们分别对应于三极管的基极B、集电极C和发射极E。场效应管的源极S和漏极D结构是对称的，在使用中可以互换。

场效应晶体管（FET）是利用电场效应控制电流的单极半导体器件。它具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、制造工艺简单等特点。它被应用于大规模和超大规模集成电路中。场效应晶体管属于压控半导体器件。它具有输入电阻高（1071015Ω）、噪声低、功耗低、动态范围大、易于集成、无二次击穿、安全工作范围广等优点。它已经成为双极晶体管和功率晶体管的有力竞争对手。

1、场效应晶体管（FET）是一种电压控制器件，通过VGS（栅源电压）控制ID（漏极电流）；2、FET的控制输入电流很小，因此其输入电阻（1071012Ω）很大。3、它使用大多数载流子来导电，所以它的温度稳定性更好；4、放大电路的电压放大系数小于三极管放大电路的电压放大系数；5、场效应管的抗辐射能力强；6、由于混沌运动的电子扩散不产生散粒噪声，所以噪声很低。

场效应管是如何分类的。根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS0时，管子是呈截止状态；加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。耗尽型则是指，当VGS0时即形成沟道，加上正确的VGS时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。

源极与衬底在内部连通，二者总保持等电位。电位方向是从外向里，表示从P型材料（衬底）指身N型沟道，当漏接电源正极，源极接电源负极并使VGS0时，沟道电流（即漏极电流）ID0。随着VGS逐渐升高，受栅极正电压的吸引，在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子，形成从漏极到源极的N型沟道，当VGS大于管子的开启电压VTN（一般约为 2V）时，N沟道管开始导通，形成漏极电流ID。

效应 管可作 三极管 晶体管 分类