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那个mos管很热。tlp250驱动mos管的sepic电路，如果在A处增加一个50欧姆的电阻...因为你的电机电流太大，mos管承受不了，建议做以下两点改变:1，电机一端接D点，接地；这个电机电流不会通过mos管，但是编程的时候注意相反的逻辑，原匝就是电流停止；2.续流二极管并联在mos管的2端，防止电机启动，停止损坏mos管；以上个人建议，希望能帮到你，欢迎提问，谢谢。

开关电源中的主要发热元件有半导体开关、功率二极管、高频变压器、滤波电感等。不同的设备有不同的方法来控制热值。功率管是高频开关电源中发热量较大的器件之一。降低其发热量不仅可以提高功率管的可靠性，还可以提高开关电源的可靠性，提高平均无故障时间(MTBF)。开关管的发热量是由损耗引起的，损耗由开关过程损耗和通态损耗组成。为了降低通态损耗，可以通过选择低通态电阻的开关管来降低通态损耗。开关过程损耗由栅极电荷和开关时间引起。为了减少切换过程损耗，可以选择切换速度更快、恢复时间更短的器件。

这可能是MOS管的问题。你可以检查MOS管是否烧坏。如果它没有烧坏，那么你可能需要检查其他组件，如电容器和电阻器，以确定它们是否损坏或丢失，或者电路板上是否有短路。MC34063是一款升压开关稳压芯片，用来产生高于输入电压的输出电压。如果你的MC34063电路上电后降压，查不出问题，可能有以下原因:设计问题:请检查电路设计是否符合MC34063的工作要求，尤其是电感、电容、晶体管的选择。

根据描述，你的MOS晶体管应该一直处于大电流工作状态，没有PWM调节。先不接MOS，接VCC，测试7脚是不是VCC，8脚是不是5V，再测试其他脚。如果一切正常，测试R4是否正常，然后检查R7和R8之间的电压。正常后连接MOS管，NMOS管的S极电压一定不能高于G极电压，否则容易损坏，MOS管损坏容易导致电流回流6脚烧坏芯片。

开启时，器件有压降产生功耗，开关时电压和电流叠加产生功耗。我不知道这个解释有什么不清楚的地方。开关器件工作在开关状态，但在导通状态下，器件的电阻不为0，MOS管有导通电阻，IGBT有导通压降，一定的电流会产生功耗(发热)，在开关过程中电压和电流不为0的交叉时间内也会有功耗。在关断状态下也存在漏电流。三点钟了。总结:因为实际设备并不是理想的开关。

因为你的电机电流太大，mos管承受不了，建议做以下两点改动:1。电机一端在D点接地；这个电机电流不会通过mos管，但是编程的时候注意相反的逻辑，原匝就是电流停止；2.续流二极管并联在mos管的2端，防止电机启动，停止损坏mos管；以上个人建议，希望能帮到你，欢迎提问，谢谢。让我们用你的电路。您可以将接地的10K电阻器更改为100K。可能是G极电压不够高。

1.观察G波形，看振幅是否符合要求。2.g点有没有合格的脉冲，上升下降时间够快吗？3.根据你的电路结构，IRF44的漏极最大输出只有10K/20/*24VVGES(6V)6V。电机旋转时会产生反电动势，使MOS管脱离饱和，进入放大区。用起来会很烫。4.加50欧姆会加重3的情况，电机会因为电压低而不工作。5.电机输出接原极，电路改变。1.将1K的电阻降低到27欧姆。

这是设计问题。真的没有什么好的方法，有些方法是没用的。不用还好，用了就避免不了。在开关电源的测试中，除了用三表测量控制电路中其他器件的管脚电压外，更重要的是用示波器测量相关的电压波形。在判断开关电源工作是否正常时，测试能反映电源工作状态的地方，变压器的原副边和输出反馈是否合理，开关MOS管工作是否正常，PWM控制器的输出端是否正常，包括脉冲幅度和占空比是否正常等等。

根据之前的开关电源知识，MOS晶体管发热的原因有以下几点:1。驱动频率太高。2: G极驱动电压不够。3:通过漏极和源极的Id电流太高。因此，关注MOS管，准确测试其工作状况，才是问题的根本。如图选择测试点:Q1为功率开关MOS管，A点为漏极，B点为源极，R点为电流采样电阻，C点为接地端。

应在7、tlp250驱动mos管的sepic电路,mos管和250都烧了,不知道什么原因

g电平和S电平之间增加一个10k电阻。建议你选择高速光学欧姆，从电路上看，基本是开关速度慢导致的MOS管过热。还有，你的主膨胀机的核心会在短时间内饱和，你需要给主扩展器增加消磁电路。如果成本可以接受，还是用推挽，现在管封装SOP8的MOS是大陆工厂封装的，2块多就能拿到。另外，你的47u电容器的交流电流容量是多少？在这个电路中应该考虑电容的损耗和寿命。

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