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但是mos管有个问题，就是里面集成了一个续流二极管。分析一下电路就知道了，如果只用一个pmos，5v的电压会通过mos管直接流入锂电池，该电路一般用于5v和锂电池电源之间的切换，如果两个电源被二极管隔开，则电压降太大。使用开关电源作为功率放大器的电源是很好的，双电源自动转换开关1的原理，两个接触器实现切换:备用电源的线圈到主接触器的常闭点，主电源接触器吸引主电路导通。

1。电源设计或驱动电路不可避免地要用到MOS管。MOS晶体管的种类很多，功能也很多。对于供电或者驱动，当然是用来开关的。2.2的三极是什么？MOS晶体管，G，S，D？(1)判断门极GMOS驱动器主要起波形整形和加强驱动的作用:如果MOS管的G信号波形不够陡，会在复查开关阶段造成大量的功率损耗，其副作用是降低电路的转换效率。MOS管发热严重，容易热损伤。如果G信号驱动能力不够，会严重影响波形跳变的时间。将GS极短接，选择万用表R×1档，将S极与黑色唱针和红色唱针连接。

该电路一般用于5v和锂电池供电之间的切换。如果两个电源被二极管隔开，则电压降太大。所以我们用mos管代替二极管。但是mos管有个问题，就是里面集成了一个续流二极管。分析一下电路就知道了。如果只用一个pmos，5v的电压会通过mos管直接流入锂电池。解决问题的唯一方法是两个pmos晶体管反相串联，从而阻断5v电压。我不知道我是否说清楚了。

电脑主板的MOS晶体管是场效应晶体管器件，是两三个一组，或者多相组合。用于配合主板上的电压控制和分配IC进行DC-DC电压转换，为CPU或内存以及板载IC芯片或接口插槽提供稳定的电源。电脑主板上有很多MOS管，分散在CPU周围。笔记本主板用的MOS可以简单分为两类:信号切换用的MOS晶体管:UG比我们大3V5V，实际上只需要导通，不需要饱和。

电压通断的MOS晶体管:UG要比我们大10V以上，导通时必须工作在饱和导通状态。常见的有:1448，1428A，7406，7702，1660，6428L，6718L，4496，4712，6402A，3404，3456，1660，2662URH，R0392DPA，03B9DP。在扩展数据笔记本的主板上，MOS管起着非常重要的作用:开关功能，MOS开关实现信号切换(高低电平切换)。

个人观点。首先，MOS管是四端器件，栅-源-漏衬，一般源衬短接。集成电路制造中，NMOS制作在P型衬底上，N阱制作在P型衬底上，PMOS制作在N阱上。如果只有一个PMOS管(比如左边的电路)，那么当控制引脚处于高电平时，左边的电路导通。现在假设只有Q5，电源通过Q5的源极端子再通过沟道区到达漏极端子后输出。也就是说，此时漏极端子处于高电平，而漏极端子是P型半导体区，衬底是N型，这意味着有一条低阻通路(正向pn结，小电压就能导通)漏到N阱。N阱一旦接低电平，马上就会出现大电流，那就完了。

首先是电源，然后到第一PMOS的内衬p(重掺杂)半导体区，然后到第一PMOS的源极p区，然后通过第一PMOS的栅极到第一PMOS的漏极端，或者到p区。接下来我们来到第二个PMOS的‘漏极’(其实这个说法是错误的但是更好理解)，也是P区，那么第二个PMOS的漏极可以和第一个合并吗？都是P区半导体。

开关电路中5、MOS管在开关电路中的使用

MOS管的作用是转换信号，控制电路的通断。金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可以分为两类:N沟道和P沟道。P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P区，分别称为源极和漏极。两个电极之间不导电。当给源极施加足够的正电压(栅极接地)时，栅极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。改变栅极电压可以改变沟道中的空穴密度，从而改变沟道的电阻。

在N沟道MOS管的电路中，高电平时BEEP引脚可以导通，蜂鸣器鸣响，低电平时蜂鸣器关闭；P沟道MOS晶体管用于控制GPS模块的电源。当GPS_PWR引脚为低电平时，它开启，GPS模块正常上电。当它为高电平时，GPS模块断电。深圳市南杰微科技有限公司是专业生产MOS管的厂家，可以根据您的需求，以最低的成本选择最合适的参数。

1。两个接触器切换:备用电源的线圈到主接触器的常闭点，主电源接触器拉主电路接通。主电源切断，备用电源通过主接触器的常闭点接通。如果主电源恢复正常，备用电源断开。2.一个继电器有两个接触器:主电源的接触器线圈取继电器的常开触点，备用电源的接触器线圈取继电器的常闭触点。3.主线通电，继电器吸合，常开触点闭合，主线接通。

一般用变压器进行变压整流，作为功放的电源。没听说过开关电源。只需使用VCC大于36V的功放芯片即可。使用开关电源作为功率放大器的电源是很好的。你的26V双稳压电源是干什么用的？功率放大器可以由36V电源直接供电。如果你后期是26V供电，换个36V的开关电源就可以把采样电阻调到26V，然后用MOS管把36V的电压稳压到26V，效率很低，MOS管稳定的热量输出也很大。

可以实现，可以在你画的电路图上改进:1。使用正负双电源；2.PMOS管的漏极不能接地，要接Vdd；3.Vi不能用正脉冲，要用正负脉冲。可以选择正负双电源供电的PWM芯片。但是互补电路不好，因为NMOS和PMOS很难配对，性能相差很大。PMOS比NMOS更容易被攻破。

使用方法如下:1。三极判决门(G):中间抽头源极(S):两个电流交叉漏极(D):分离引线2。通道决策N通道:箭头指向G极。使用时，D极连接到输入端，S极连接到输出端。p沟道:箭头背向G极。使用时，S极连接到输入端，D极连接到输出端。3、寄生二极管决定N通:从S极到D极P沟道:从D极到S极一句话:无论N沟道还是P沟道，中间衬底的箭头方向和寄生二极管的箭头方向始终是一致的。

4.如果Q10的G电极不接0V，其D电极电压为5V，接Q11G电极，Q11接。Q10的G电极接3V时，D电极电压为0V，与Q11G电极连接，Q11不连接，5.on条件N沟道:当Ug>Us时On，当UgUs时off。p通道:Ug的开启电压需要参考数据表，对于信号切换，开启电压应为3V5V，对于电源，应在10V以上，并保证工作在饱和开启状态。