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mos管2301与三极管相比，采用的是小功率mos管，如SI2301、SI2302等，实际使用并不理想，主要是微功率mos管，容易烧坏，抗冲击能力太弱，尤其是MOS管导通后内阻太低，容易被瞬间大电流冲击烧坏。如何选择最合适的MOS晶体管驱动电路？③以上两个晶体管替换如下:Si2301属于P沟道场效应晶体管，可以直接用Si2307替换。

常用MOS晶体管参数:。MOS管的耐压一般是指源漏之间的雪崩电压。如果在源极和漏极之间施加大于它的电压，MOS管将立即损坏。最大电流是指最大允许漏电流，MOS管在工作时不允许超过这个电流，否则会严重发热损坏。导通电阻是指MOS晶体管导通时源极和漏极之间的电阻。该值越小，开态效果越好。导通电压意味着施加在增强型场效应晶体管的栅极和源极之间的控制电压达到使其开始导通的电压值。

1、MOS管类型和结构MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET)，可以做成增强型或耗尽型，有P沟道或N沟道四种，但实际使用的只有增强型N沟道MOS管和增强型P沟道MOS管，所以通常指的是NMOS或PMOS这两种。至于为什么不用耗尽型MOS管，不建议追根究底。对于这两种增强型MOS晶体管，通常使用NMOS。

因此，NMOS一般用于开关电源和电机驱动的应用中。在下面的介绍中，NMOS也是主要的一个。MOS管的三个管脚之间存在寄生电容，这不是我们需要的，而是制造工艺的限制造成的。寄生电容的存在使得驱动电路的设计或选择变得更加麻烦，但这是没有办法避免的，后面会详细介绍。从MOS管的原理图可以看出，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个二极管叫做体二极管，在驱动感性负载(比如电机)时非常重要。

①。这个Sⅰ2301属于P沟道场效应晶体管。丝网印刷:A1SHB封装S0T23。这个晶体管的参数如下:/耐压:20V//电流:2.3A//。②回到Si2302，属于N沟道场效应晶体管。丝网印刷:A2SHB封装S0T23。这个晶体管的参数如下://耐压:20V///电流:2.5A//。③以上两个晶体管替换如下:Si2301属于P沟道场效应晶体管，可以直接用Si2307替换。

可以用带阻三极管代替这个带阻三极管。常用的型号有:KRA106SPNP和KRC106SNPN，虽然带阻三极管已经用了很久了，但是在当时的手机中使用，为了节省PCB布局和器件，传统的设计已经很少见到了。没想到这几年也用上了，与三极管相比，使用小功率mos晶体管，如SI2301、SI2302，在实际使用中并不理想，主要是微功率mos晶体管，容易烧坏，抗冲击能力太弱，特别是MOS晶体管导通后内阻太低，容易被瞬间大电流冲击烧坏。

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