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如何判断功率管？如何检测MOS管的质量？请问怎么用万用表检测MOS管的质量？问题1:如何判断电磁炉功率管的好坏？IGBT管的好坏可以用指针式万用表的Rxlk块检测，也可以用数字万用表的“二极管”块测量PN结的正向压降。可以用什么...mos管和内阻有很大关系，如果mos管温度高，说明内阻高，反之亦然。

测量CPU的电源管，红色触针接地，黑色触针依次测量MOS管的G极对地电阻，一般在460680之间。如果太小，取下上面的管子测量一下。取下后，先短路GDS的三个电极，然后测量DS电极的正负电阻。正常情况下，只有一个阻力。不同结构的MOS管电阻不同，可以对着一块好的板测。你也应该先看看这个帖子，看看MOS管是怎么测试的。

MOS有三极:D，G，SMOS管内部有一个反向二极管，所以你只需要测量这个反向二极管的电压是否在0.4V左右，如果小于0.2V，说明这个MOS管坏了。(在S端测量电压表的正极，在D端测量负极。)PS:测量前，用导线连接D、G、S端子，并放电。

用万用表二极管打开档位。一般来说，GDS从左到右排列。测量最右边的S脚是否正接中间的D脚，但没有短路。测量左针脚G和右针脚S是否没有相互连接。这是一个不错的NMOS。将万用表设在二极管档、开关档或电阻档，测量MOS管两极间的电阻。其实和测量三极管一样，就是测量PN结是否击穿。这基本不可能。就算你测的电阻一样，也不能证明它就是好的。这是用电验证的。

如何用万用表检测MOS管的质量？和三极管法一样吗？以N沟道MOS场效应管5N60C为例，详细介绍了具体的测量方法。1.N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管2质量的测量方法。用数字万用表二极管正向测量5N60C的DS极。测量5N60C质量时，先将万用表量程开关拨到二极管位置，将5N60C的G极悬空，用红色和黑色探针分别接触5N60C的DS极。如果管好，万用表会显示“OL”，即会溢出(见上图)。

1。用指针式万用表区分场效应管(1)用电阻测量区分结型场效应管的电极根据场效应管PN结正向和反向电阻值不同的现象，可以区分结型场效应管的三个电极。具体方法:将万用表设在R×1k档，选择两个电极，分别测量正负电阻值。当两个电极的正负电阻值相等且为几千欧姆时，这两个电极分别为漏极D和源极S。因为结型场效应晶体管的漏极和源极可以互换，所以剩下的电极必须是栅极g。

当两次测得的电阻值大致相等时，黑色铁笔接触的电极为栅极，另外两个电极分别为漏极和源极。如果两次测得的电阻值都很大，说明PN结反了，也就是两个电阻都反了，可以判断是N沟道场效应晶体管，黑触针接在栅极上；如果测两次电阻都很小，说明是正向PN结，也就是正向电阻，判断为P沟道场效应晶体管，黑探针也接在栅极上。如果没有出现上述情况，可以更换黑色和红色探针，按照上述方法进行测试，直到识别出网格为止。

mos管和内阻关系很大。如果mos管温度高，则内阻高，否则。这些元件没有绝对的好坏，关键是看和你的电路匹配程度。飞兆mos和IR mos都是很好很大的品牌，但是和你的电路不匹配，不能说很好。对于mos管的精确检测，国内很少有企业买得起这种设备。CS2N60 mos晶体管2A600V，很常见的mos晶体管，国内已经做的很好了，不需要用什么东西去转换。

使用通用指标R*10K不仅可以衡量质量，还可以衡量一般性能。但是，我们应该注意以下几点:1。有些MOS管在D、S、G、S二极管中间接有反向二极管，必须加以区分。比如两极正反平均的一般原理，必然不好。因此，可以通过这种方法找到S极2。例如，如果手写笔连接到DS极，并且极性对应，则手指触摸黑色手表条，可以看到G极导通。手指离开时，可以导电几秒(反指N增强以上)。3.如果用圆珠笔之类的塑料摩擦头发，使其带电并靠近G极，也会有这样的反应，但不要碰，可能会击穿G极。

Video不是教程。首先，测量结型场效应晶体管1。确定场效应晶体管的电极首先确定管的栅极。将万用表放在R×100量程，黑色表笔接在灯管的一个电极上，红色表笔依次接触另外两个电极。如果两次测得的电阻值都很大，说明是P沟道管。黑色手写笔连接到网格。如果测两次电阻都很小，说明是N沟道管，黑色唱针接栅极。如果没有出现上述情况，可以更换另一个电极，按照上述方法进行测量，直到判断有网格为止。

.用万用表检测MOS管质量的简单方法。1.黑色手写笔接D极，红色手写笔接S极，一般有500，600的电阻。2.在黑色手写笔不动的前提下，用红色手写笔点一下G极，再用红色手写笔测量S极，就会有导通。3.将红色手写笔连接到D极，然后用黑色手写笔点击G极，再连接S极。测得的电阻与1相同。

问题1:如何判断电磁炉功率管的好坏？IGBT管的好坏可以用指针式万用表的Rxlk块检测，也可以用数字万用表的“二极管”块测量PN结的正向压降。测试前，将IGBT管的三个管脚短路放电，以免影响测试的准确性；然后用指针式万用表的两个探针测量G，E和G，C的电阻。对于正常的IGBT管(正常的G，C与G，C之间的正负电阻为无穷大；带阻尼二极管的IGBT管正常时，E和C之间有4kω正向电阻，以上测量值为无穷大；最后，指针式万用表的红笔接C极，黑笔接E极。如果测量值约为3.5kωL，则被测管为带阻尼二极管的IGBT管。如果测量值约为50kΩ，则被测IGBT管不含阻尼二极管。

好坏检测:万用表设置为欧姆档，重复测量6次。有一次数值在500左右，其他5次都是1，那么被测场管就是好的(测量前放电0)！这种方法适用于所有MOS管测试吗？谁能交流一下？能否给出权威的上路测试方案？在路上，下管的S极和D极接地肯定有问题，MOS管导通前后有什么区别？如何用万用表检测MOS管的质量？和三极管法一样吗？使用万用表二极管打开档位。一般来说，GDS从左到右排列，测量最右边的引脚S到中间的引脚D是否正向导通，但没有短路。测量左针脚G和右针脚S是否互不导通，这是一个不错的NMOS。

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