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N沟道结型场效应晶体管的导通条件是什么？如何判断FET是N沟道还是P沟道？n沟道结场效应晶体管当沟道为楔形时，电脑主板电路图中各种字母代码的含义是什么？在结型场效应晶体管中，栅极和沟道之间的PN结是反向偏置的，所以输入电阻很大。结型和绝缘栅型有什么区别？有什么区别？1.结型和绝缘栅型的区别，结型场效应晶体管，绝缘栅型场效应晶体管有两种，N沟道和P沟道，简称MOS场效应晶体管(MOSFET)。

我觉得应该是以下两个原因:1。目前大多数功率mosfet采用垂直导电结构，增加了通过电流的有效面积，使其能够承受更大的电流。2.功率mosfet具有低掺杂N区，接近未掺杂的纯半导体材料，即本征半导体，因为掺杂浓度低，所以可以承受高电压。答:第一点:大部分功率MOSFET采用垂直导电结构，增加了通过电流的有效面积，使其能够承受更大的电流。

第三点:功率MOSFET具有低掺杂N区，接近于未掺杂的纯半导体材料，即本征半导体，因为掺杂浓度低，所以可以承受高电压。第四点:mosfet工艺相同，可以通用。并不是说信息电子电路mosfet不能用于电源，有些电源设备只需要低电压小电流。【功率场效应晶体管】1。功率场效应晶体管分为两种，结型和绝缘栅型，但绝缘栅型中通常所说的MOS型，简称为功率MOSFET。

如果要普及，原则就要讲清楚。如果作为开关使用，相当于一个开关，开启方式是控制栅极电压。nMOS需要Vgs大于管导通前的导通电压，PMOS需要Vgs小于漏极和源极导通前的导通电压。当栅极没有电压时，NMOS是常开的，pMOS是常闭的。2、结型和绝缘栅型区别,有什么不同?缘栅型区别增强型和耗尽型的区别?

1。结型和绝缘栅型有什么区别？在结型场效应晶体管中，栅极和沟道之间的PN结是反向偏置的，所以输入电阻很大。但是PN结反向时总会有一些反向电流，限制了输入电阻的进一步提高。如果在栅极和沟道之间分离绝缘层，则制成绝缘栅场效应晶体管，并且可以提高其输入电阻。2.增强和耗尽的区别是什么？结型场效应晶体管，绝缘栅场效应晶体管有N沟道和P沟道两种，简称MOS场效应晶体管(MOSFET)。

主板基本元件介绍摘要为了提高一起看电路图的基础知识，现结合实际电路图讲解电路中常见原厂元件的原理，以达到理论联系实际的目的。本文不涉及复杂的计算公式和详细的理论，只是对一些基础知识的归纳和总结。关键词:电阻、电容、电感、二极管、三极管、MOS管第一章:电阻概述:整体电阻可分为线性电阻和非线性电阻两大类。

1.线性电阻部分:1.1。定义:电阻两端的电压与通过它的电流成正比，它的伏安特性曲线是直的。这种电阻称为线性电阻1.2。线性电阻的类型(单电阻):1.5%精度命名:RS05K102JT2.1%%精度命名:RS05K1002FTR代表电阻S代表功率05代表英寸，05-表示尺寸(英寸):02表示0402，03表示0603，05表示0805，06表示1206，1210表示1210，1812表示1812，10表示1210，12表示2525

二极管和三极管载流子多，载流子少，而在场效应晶体管中载流子只有很多。沟道被夹断，但在电场的作用下，很多载流子可以在耗尽层中漂移，而场效应晶体管中只有一个载流子(电子或空穴，可以双向流动，与二极管、三极管等双极晶体管不同)，这也是单极晶体管与双极晶体管的区别。

根据场效应晶体管PN结正向和反向电阻值不同的现象，可以区分结型场效应晶体管的三个电极。具体方法:将万用表设在R×1k档，选择两个电极，分别测量正负电阻值。当两个电极的正负电阻值相等且为几千欧姆时，这两个电极分别为漏极D和源极S。因为结型场效应晶体管的漏极和源极是可以互换的，所以剩下的电极一定是栅极g，你也可以将万用表的黑色触针(红色触针也可以)随意接触到一个电极，另一个触针依次接触另外两个电极，测量其电阻。

如果两次测得的电阻值都很大，说明PN结反了，也就是两个电阻都反了，可以判断是N沟道场效应晶体管，黑触针接在栅极上；如果测两次电阻都很小，说明是正向PN结，也就是正向电阻，判断为P沟道场效应晶体管，黑探针也接在栅极上。如果没有出现上述情况，可以更换黑色和红色探针，按照上述方法进行测试，直到识别出网格为止。

NJFET的导通条件为:UGS(关)。

结型场