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开关电源频率对效率的影响开关电源的效率,是什么在制约开关电源频率的提升呢取决于开关的暂态过程中电压和电流的交叠做功，那当然开关频率越高这部分损耗会很严重。开关电源电路设计秘笈之如何选择正确的工作频率本文将就开关电源设计中如何正确的选择工作频率分享设计技巧，开关电源也有一个最高效率的频率点。

负载电流是设计的时候限定的，增加负载将使开关电源系统崩溃。只能换一个大的开关电源，而且不能两个并联使用，将形成内环流，使开关电源坏掉。如果你是设计者，换个大的换能互感器，调整滤波电路的容量将能提高输出电流。相同体积的开关电源，频率的提高，可以提高输出功率。开关的触点开关的瞬间会产生电弧，也会发热，导致触片变软而接触不良，也可能发生安全事故。

输出电压高反馈电路输入脚电压跟着高光电耦合器供电电压差减少光电藕荷器导通程度减弱PWM输出的IC通过光电藕荷器导通程度检测电压过高的信号调节PWM输出MOS功率管占空比根据PWM变化变压器电压输出减低达到稳压效果。开关电源有恒流和恒压功能:1.恒压功能：利用做多的是可控制稳压管TL431,它的特性是经过动态调整输出端总是在2.5V上，然后经过放大就变成我们所需的恒压值。

半桥开关电源的频率倒是容易改变，只要改TL494的5、6脚的电阻电容就可以，但改变频率是不能改变输出电压。半桥开关电源的变压器可以说是真正工作在变压状态，是按照匝数比来输出电压（交变脉冲）的，而不是反击式开关电源的储能释能方式。匝数比定了，变压器输出的交变脉冲的峰值也就定了，能改变输出电压的只有脉宽加电感滤波，直流输出电压低于交变脉冲的峰值。

管理IC。如果芯片是定频的芯片，那频率是由芯片决定。如果是跳频的芯片，那频率由变压器和输出功率决定选择芯片其实很简单，主要看输出就好了，就是这芯片能够做到这个功率输出，就至少说明这个芯片可以用。开关电源中的输出频率是由什么决定的由开关电源的振荡频率决定的输出频率与输出电压没有关系，输出电压与电路的占空比和变压器的匝比有关，如果改变频率，你的变压器需要重新设计，在在否则频率低了峰值电流会增加，纹波增大，电路发热严重，变压器容易饱和，频率高了影响到输出功率，MOS管和整流管可能会更热。

现在的频率有不少已经高达是1M级别的了，只是高电压输入的频率偏低一点，频率高了以后还有别的原件要求也高，否则损耗变得很大，器件会过热损坏，比如输出整流器和变压器。设计参数范围与当前元器件生产工艺、成本相关，通常是实用、高效、廉价，特殊电路需要专用设计，通常不考虑费用，仅要求性能。

本文将就开关电源设计中如何正确的选择工作频率分享设计技巧。为您的电源选择正确的工作频率为您的电源选择最佳的工作频率是一个复杂的权衡过程，其中包括尺寸、效率以及成本。通常来说，低频率设计往往是最为高效的，但是其尺寸最大且成本也最高。虽然调高频率可以缩小尺寸并降低成本，但会增加电路损耗。接下来，我们使用一款简单的降压电源来描述这些权衡过程。

这些组件占据了电源体积的大部分，同时滤波器的尺寸同工作频率成反比关系。另一方面，每一次开关转换都会伴有能量损耗;工作频率越高，开关损耗就越高，同时效率也就越低;其次，较高的频率运行通常意味着可以使用较小的组件值。因此，更高频率运行能够带来极大的成本节约。图1.1显示的是降压电源频率与体积的关系。频率为100kHz时，电感占据了电源体积的大部分(深蓝色区域)。

开关电源的效率,主要受变压器和功率器件限制.变压器在某个频率的效率最高,频率过高或过低,效率都会下降而功率器件基本上是单调下降的二者复合,开关电源也有一个最高效率的频率点。你频率越大当然开关损耗就越大了效率就要降低一点点了。这是个不好定义的问题啊,效率的高低要看你用的元件了有的元件频率高了,会更好些,比如变压器,电感.频率稍高点,

但是铜损会更大些,半导体也会涉及到速度的问题,频率高了相对的开通和关断损耗都会稍微加大.又会导致效率降低,如果原先的各个元件都是调得刚刚好的话,你只是把频率提高,而不更改相关的元件的话,效率反而会变低.当然,如果是新做一款电源的话,可以适当把频率定得高些,这样的话最终调试出来的效率会比较高.。

取决于开关的暂态过程中电压和电流的交叠做功，那当然开关频率越高这部分损耗会很严重。这部分我没法展开讲了，展开将足够写一个专栏，牵扯到驱动，MOSFET开通过程，结电容非线性，米勒效应，开关损耗计算等等复杂问题，推荐看CPES的一篇paper详细推导了并解释了这个问题：RenY,XuM,ZhouJ,etal.AnalyticallossmodelofpowerMOSFET[J].IEEETransactionsonPowerElectronics,

21(2):310319.另外如@董舟所说，位移损耗，容性开通损耗等都是高频下不可忽略的损耗因素。关于二极管（包括MOSFET的体二极管），如果忽略导通损耗，典型的关断损耗就是反向恢复损耗，主要取决于正向电流和反向电压，对波形造成的ringring影响体现在trr，Qrr，Irrm等具体指标上，特别在高压MOS上，体二极管的特性特别挫，非但造成巨大的loss而且会对EMI产生不良影响。

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