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一般功率mos管的导通电流参数如何选择?该如何选择,1）如无特殊要求，尽量选通用型和多运放；2）要注意手册中给出的参数是在某一个特定条件下得出的，如条件改变，有些参数也要随着改变；3）在实验阶段和工作环境复杂的场合，尽量选带有过压、过流、过热保护的型号。2，如果管子的工作频率比较高（比如1MHz）而且重载（电流30A）那么这个电阻取值就很小，如：4.7欧。

输出级一般选择4个MOSFET开关管桥接电路。H形桥接输出级FET1FET4工作在开关状态，FET1、FET4导通时FET3、FET2截止，FET3、FET2导通时FET1、FET4截止，产生的信号再经LC滤波器滤波，即可取出音频信号，可使接在桥路上的负载（扬声器）得到交变的电压、电流而发出声音。

一、降压式DCDC开关电源降压式DCDC开关电源通常使用MOSFET管作为开关元件来实现升压、降压或反相等功能。其驱动电路的主要目的是为了控制MOSFET的开关状态，从而保证DCDC开关电源的输出电压稳定，效率高。下面是一些选择或设计降压式DCDC开关电源驱动电路的建议：MOSFET管的选择选择合适的MOSFET管对于驱动电路的设计至关重要。

此外，还应选择合适的电压和电流容量，以适应实际应用的需求。驱动电路IC的选择驱动电路IC负责控制MOSFET管的开关状态。选择合适的驱动电路IC可以提高系统的稳定性和效率。常见的驱动电路IC包括IR2110、TC4420、MIC5019等。驱动电路电源的设计驱动电路需要一个稳定的电源来提供能量。应选择低噪声的电源，以避免噪声影响电路的性能。

应从实际需要出发，不要盲目追求指标的先进性。1）如无特殊要求，尽量选通用型和多运放；2）要注意手册中给出的参数是在某一个特定条件下得出的，如条件改变，有些参数也要随着改变；3）在实验阶段和工作环境复杂的场合，尽量选带有过压、过流、过热保护的型号。运算放大器是具有很高放大倍数的电路单元。在实际电路中，通常结合反馈网络共同组成某种功能模块。

其输出信号可以是输入信号加、减或微分、积分等数学运算的结果。由于早期应用于模拟计算机中用以实现数学运算，因而得名“运算放大器”。由于早期应用于模拟计算机中，用以实现数学运算，故得名“运算放大器”。运放是一个从功能的角度命名的电路单元，可以由分立的器件实现，也可以实现在半导体芯片当中。随着半导体技术的发展，大部分的运放是以单芯片的形式存在。

我的经验是：1，如果你是用来给后面的电路做电源的开关管，即：相当于电源开关，且，频率也不算高，负载也比较小。那么，这个电阻取值1M欧以下均可。2，如果管子的工作频率比较高（比如1MHz）而且重载（电流30A）那么这个电阻取值就很小，如：4.7欧。因为MOS管G极的内阻很高，属于电压信号驱动。所以对你接的电阻的阻值的要求不是太严格了。

先选100K试试。IRF450，如果我没有估计错，你是用来做电源的吧，电源一般选取的值极少大于100欧的阻值，其实这个没有定数的，和驱动电路以及MOS的结电容有关，你要在最低输入电压和最高输入电压之间调试，选取的阻值只要最高电压时不过激励和最低电压时不欠激励就是合适的了，你可以先根据自己的经验选取一个来调试，比如51欧，如果欠激励说明取值太大，就用小一些的（比如39欧），反过来也一样，过激励可以用68欧的。

你用示波器（最好是数字示波器）观察通过MOS管的电流最大尖峰流量有多少，就按照这个参数来选择管子，比较可靠。你最大电流通过5A，这个是个平均值，不是峰值。我建议至少选择10A以上的MOS管。1.是用N沟道还是P沟道。选择好MOS管器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。

当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑，确定所需的额定电压，或者器件所能承受的最大电压。额定电压越大，器件的成本就越高，根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效，就选择MOS管而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。

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