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GBT管内部等效电路。就是单向可控硅，在制造大功率，大电流，特别在变频电路应用时，由于寄生三极管形成寄生电容Cgc的弥勒电容。在导通过渡到截止区时，栅极已加上负9伏，由于截止时高压对cgc微分作用，使截止时的栅极突然微分脉冲。被迫误触发进入再次导通，形成擎柱效应而炸管，这时栅极失去控制作用，其等效单向可控制。形成擎柱效应炸管。

R2R3要按BTA100的栅极电流计算一般为几千欧。功率要在2W以上。MOC3052最好是固态继电器。R2R3的取值跟启动电流没有关系换大功率可控硅R2并光耦并上R3大于触发电流就行。具体可看下双向可控硅触发电路，有4象限触发方式，且只有一个控制脚，该电路直接用交流降压作为触发信号。以上未读过书可控硅触发变压器用于解决，将是有益的光耦负半周不触发，不理想！

可控硅导通和关断的条件是：当阳极电位高于阴极电位且控制极有足够的正向电压和电流时，即可实现从关断到导通；而阳极电位高于阴极电位且阳极电流大于维持电流时，可维持可控硅的导通：阳极电位低于阴极电位或阳极电流小于维持电流时，可控硅便从导通状态变为关断。用可控硅实现交流调压通常有两种触发方式，即过零触发方式和移相触发方式。

1、大功率整流用可控硅。2、IGBT与可控硅相比各有优点，前者是可控制开关元件，后者大多数是只能控制开，不能控制关（现在有可关断可控硅了）。受元件制造工艺和工作原理等影响，前者可在较高频率下工作（最高25KHz左右），后者大多在5KHz以内，这个是前者比后者的优点。3、前者相比的缺点是成本高，制造工艺复杂，在高压大电流元件的制造上，还达不到可控硅的能力，并且在抗过载能力上远远不及可控硅。

扩展资料：1、可控硅是可控硅整流元件的简称,亦称为晶闸管。是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件,一般由两晶闸管反向连接而成.它的功用不仅是整流，还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路，实现将直流电变成交流电的逆变，将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电等等。

可控硅 gbt 等效 单向 大功率