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gbt管内部等效电路形成单向可控硅
2023-05-13
可控硅
gbt
等效
单向
大功率
154 ℃
GBT管内部等效电路。就是单向可控硅,在制造大功率,大电流,特别在变频电路应用时,由于寄生三极管形成寄生电容Cgc的弥勒电容。在导通过渡到截止区时,栅极已加上负9伏,由于截止时高
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