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浅谈重离子辐照对SiC肖特基势垒二极管的损伤机理前言碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)因其工作温度高、开关速度快、正向压降低和电流密度高而受到广泛关注。然而，它们在恶劣环境中的应用受到辐射引起的损伤限制，重离子辐照会导致晶格位移损伤，从而导致器件电性能下降，SiCSBD的损伤机理重离子辐照对SiCSBDs的损伤机制主要是由于晶格中原子的位移。

这些缺陷充当电子和空穴的散射中心，导致载流子迁移率和寿命降低。可对SiCSBD造成损坏的主要电离辐射类型是粒子、粒子、伽马射线和中子。其中，粒子由于其高线性能量转移(LET)而造成最严重的破坏。阿尔法粒子将它们的能量沉积在距离目标材料几微米的范围内，导致设备的小体积中出现高浓度的缺陷。辐射对电气特性的影响辐射对SiCSBD电性能的影响可以通过正向压降、反向漏电流和理想因子的变化来表征。

坏肯定是坏了的，测量和普通三极管一样的方式。可以肯定的是，ATX电源里没有肖特基三极管，只有肖特基二极管，你见到是TO220或其它类似三极管封装的肖特基二极管，作用就是整流，它们是由两个二极管接成共阴或共阳结构，一般中间引脚是共接点，可以从电路板中看出来，它的检测与普通二极管一样，只是它的导通电压更低，高频时反向恢复时间更短，这样在低压、大电流时整流效率更高。

各种不同的二极管有各种不同的的导通电压且原则上是固定值但是导通电流增减与温度变化时还是会有变化的正向电流愈大VF就愈大。错了，正好相反！材料不同导通压降不同，硅管正向压降0.7伏特，锗管正向压降0.3伏特。二极管压降是怎么回事？一分钟。硅管的初始导通压降是0.5V左右，正常导通压降是0.7V左右，在接近极限电流情况下导通压降是1V左右；

开关电源当中我们经常会用到肖特基二极管，但是由于不同厂商等原因性能上就相差很大，我们选择肖特基时必须要考虑以下几点参数：1.导通压降vf：vf为二极管正向导通时二极管两端的压降，选择肖特基二极管是尽量选择vf较小的二极管。2.反向饱和漏电流ir：ir指在二极管两端加入反向电压时，流过二极管的电流，肖特基二极管反向漏电流较大，选择肖特基二极管是尽量选择ir较小的二极管。

4.最大浪涌电流ifsm：允许流过的过量的正向电流。它不是正常电流，而是瞬间电流，这个值相当大，5.最大反向峰值电压vrm：即使没有反向电流，只要不断地提高反向电压，迟早会使二极管损坏。这种能加上的反向电压，不是瞬时电压，而是反复加上的正反向电压，因给整流器加的是交流电压，它的最大值是规定的重要因子。最大反向峰值电压vrm指为避免击穿所能加的最大反向电压。

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