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高离子辐照对sic晶体管损伤机理:晶格位移
2023-05-06
sic
压降
肖特基
辐照
晶格
128 ℃
浅谈重离子辐照对SiC肖特基势垒二极管的损伤机理前言碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)因其工作温度高、开关速度快、正向压降低和电流密度高而受到广泛关注。然而,它们在恶
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